磷掺杂的晶圆，是一种合成材料，属于中级的晶圆类合成材料。

来源

在切割机中以最低 HV 级电压切割磷掺杂的单晶硅产出磷掺杂的晶圆。每处理 1 个磷掺杂的单晶硅，将产出 32 个硅晶圆。

用途

• 由 2 个磷掺杂的硅晶圆、1 个玻璃板或任意一种染色变种、2 个任意一种电压等级为 HV 级的电路、2 个砷化镓板和 1 个 4x 石墨烯导线有序合成，得到 8 个输出电压为 8 EU/t 的太阳能覆盖板；

• 在激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆。以下为相对于普通的硅晶圆而言，磷掺杂的晶圆独有的配方：

• 搭配任意一种黄色透镜，制成 SoC 晶圆；

• 搭配任意一种棕色透镜，制成 MPIC 晶圆；

• 搭配任意一种粉红色透镜，制成 NOR 存储器晶圆；

• 搭配任意一种灰透镜，制成 NAND 存储器晶圆；

所有对磷掺杂的硅晶圆作处理的精密激光蚀刻机配方均需最低 HV 级电压（480 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

另外，在激光蚀刻机中，磷掺杂的晶圆也可代替普通的硅晶圆来生产其它种类的晶圆，此时产量将提升至原来的 4 倍。