硅晶圆，是一种合成材料，属于最初级的晶圆类合成材料。

来源

在切割机中以最低 MV 级电压切割单晶硅产出硅晶圆。每处理 1 个单晶硅，将产出 16 个硅晶圆。

用途

• 由 2 个硅晶圆、1 个玻璃板、2 个任意一种电压等级为 LV 级的电路和 1 个碳板有序合成，得到输出电压为 1 EU/t 的太阳能覆盖板；

• 与细铜导线和熔融态的聚乙烯材料在组装机中用于生产二极管，利用退火铜材料代替铜时产量翻倍；
  

• 在精密激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆：

• 搭配任意一种红色透镜，制成 ILC 晶圆；

• 搭配任意一种绿色透镜，制成 RAM 晶圆；

• 搭配任意一种淡蓝色透镜，制成 CPU 晶圆；

• 搭配任意一种蓝色透镜，制成 ULPIC 晶圆；

• 搭配任意一种橙色透镜，制成 LPIC 晶圆；

• 搭配任意一种青色透镜，制成简易 SoC 晶圆。

所有对硅晶圆作处理的精密激光蚀刻机配方均需最低 MV 级电压（120 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

磷掺杂的晶圆，是一种合成材料，属于中级的晶圆类合成材料。

来源

在切割机中以最低 HV 级电压切割磷掺杂的单晶硅产出磷掺杂的晶圆。每处理 1 个磷掺杂的单晶硅，将产出 32 个硅晶圆。

用途

• 由 2 个磷掺杂的硅晶圆、1 个玻璃板或任意一种染色变种、2 个任意一种电压等级为 HV 级的电路、2 个砷化镓板和 1 个 4x 石墨烯导线有序合成，得到 8 个输出电压为 8 EU/t 的太阳能覆盖板；

• 在激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆。以下为相对于普通的硅晶圆而言，磷掺杂的晶圆独有的配方：

• 搭配任意一种黄色透镜，制成 SoC 晶圆；

• 搭配任意一种棕色透镜，制成 MPIC 晶圆；

• 搭配任意一种粉红色透镜，制成 NOR 存储器晶圆；

• 搭配任意一种灰透镜，制成 NAND 存储器晶圆；

所有对磷掺杂的硅晶圆作处理的精密激光蚀刻机配方均需最低 HV 级电压（480 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

另外，在激光蚀刻机中，磷掺杂的晶圆也可代替普通的硅晶圆来生产其它种类的晶圆，此时产量将提升至原来的 4 倍。

硅岩掺杂的晶圆，是一种合成材料，属于较高级的晶圆类合成材料。

来源

在超净间环境下，在切割机中以最低 EV 级电压切割硅岩掺杂的单晶硅产出硅岩掺杂的晶圆。每处理 1 个硅岩掺杂的单晶硅，将产出 64 个硅岩掺杂的晶圆。

用途

• 由 2 个硅岩掺杂的晶圆、1 个钢化玻璃、2 个任意一种电压等级为 LuV 级的电路、2 个磷化铟镓板和 1 个 16x 石墨烯导线有序合成，得到输出电压为 32 EU/t 的太阳能覆盖板（LV）；

• 在超净间环境下，在激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆。以下为相对于其它低级的硅晶圆而言，硅岩掺杂的晶圆独有的配方：

• 搭配任意一种紫色透镜，制成 ASoC 晶圆。

所有对硅岩掺杂的硅晶圆作处理的精密激光蚀刻机配方均需最低 EV 级电压（1,920 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

另外，在激光蚀刻机中，硅岩掺杂的晶圆也可代替磷掺杂的晶圆或普通的硅晶圆来生产其它种类的晶圆。代替磷掺杂的晶圆时，产量将提升至原来的 4 倍；代替普通的硅晶圆时，产量将提升至原来的 8 倍。

中子素掺杂的晶圆，是一种合成材料，属于最高级的晶圆类合成材料。

来源

在超净间环境下，在切割机中以最低 IV 级电压切割中子素掺杂的单晶硅产出中子素掺杂的晶圆。每处理 1 个中子素掺杂的单晶硅，将产出 96 个中子素掺杂的晶圆。

用途

在超净间环境下，在激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆。以下为相对于其它低级的硅晶圆而言，中子素掺杂的晶圆独有的配方：

• 搭配任意一种黑色透镜，制成 HASoC 晶圆。

所有对中子素掺杂的硅晶圆作处理的激光蚀刻机配方均需最低 IV 级电压（7,680 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

另外，在激光蚀刻机中，中子素掺杂的晶圆也可代替硅岩掺杂的晶圆、磷掺杂的晶圆或普通的硅晶圆来生产其它种类的晶圆。

• 代替硅岩掺杂的晶圆时，产量将提升至原来的 2 倍；

• 代替磷掺杂的晶圆时，产量将提升至原来的 8 倍；

• 代替普通的硅晶圆时，产量将提升至原来的 16 倍。