中子素掺杂的单晶硅，由 32 个硅块和 4 个中子素锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 6,484 K
的炉温来执行，需要利用硅岩线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。

相比于普通的单晶硅、磷掺杂的单晶硅以及硅岩掺杂的单晶硅，制造中子素掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 IV 级电压处理时每生产 1
个中子素掺杂的单晶硅耗时 900 秒。

1 个中子素掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 96 个中子素掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 IV 级电压来处理。