纳米处理器晶圆
硅岩掺杂的晶圆
ILC晶圆
ULPIC晶圆
磷掺杂的单晶硅
CPU晶圆
NAND存储器晶圆
中子素掺杂的单晶硅
UHPIC晶圆
MPIC晶圆
磷掺杂的晶圆
HASoC晶圆
简易SoC晶圆
ASoC晶圆
硅晶圆
中子素掺杂的晶圆
单晶硅
NOR存储器晶圆
花海
ruying
momo
虚伪之人
成分不明者゙͟͝͞
ein_Name
Groundhog114514
SiO_O
essFryFish003
木子清秋
刚正之尉
lanchou
斜影
硅岩掺杂的单晶硅 与 单晶硅 为同类物品/方块。
硅岩掺杂的单晶硅，由 16 个硅块和 1 个硅岩锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 5,400 K 的炉温来执行，需要利用高速钢-G线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。
相比于普通的单晶硅以及磷掺杂的单晶硅，制造硅岩掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 EV 级电压处理时每生产 1 个硅岩掺杂的单晶硅耗时 750 秒。
1 个硅岩掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 64 个硅岩掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 EV 级电压来处理。
[使用: 电力高炉]
总耗电: 28,800,000 EU
消耗功率: 1,920 EU/t
耗时: 750 秒
需求温度: 5,400 K
标签: forge:storage_blocks/silicon * 16
标签: forge:ingots/naquadah * 1
标签: forge:dusts/gallium_arsenide * 1
气态氩 * 8,000 mB
↓
硅岩掺杂的单晶硅 * 1
