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    磷掺杂的晶圆 (Phosphorus-doped Wafer)
    物品命令:/give @p gregtech:meta_item_1 64 372

    “待处理电路”

    合成材料,可以被合成,属于晶圆类合成材料,但用途与等级不同。


    上述精密激光蚀刻机配方中,继承自硅晶圆的配方电量总计 240,000 EU ,其余配方电量总计 432,000 EU,耗能功率 480 EU/t (HV),继承自硅晶圆的配方耗时减少到 25s,其余配方耗时 45s ,不消耗透镜,需要超净间。

    磷掺杂的晶圆 (Phosphorus-doped Wafer)
    磷掺杂的晶圆 (Phosphorus-doped Wafer)
    资料分类:电路:材料:单晶硅
    最大叠加:64个 / 组
    滑动合成表可以查看更多信息~
    材料统计输入 >> 输出备注

    [使用: 切割机]


    总耗电: 576,000 EU

    需求电压: 480 EU/t

    耗时: 60 秒

    磷掺杂的单晶硅 * 1

    蒸馏水 * 750 mB

    磷掺杂的晶圆 * 32

    磷掺杂的单晶硅
    蒸馏水
    750750
    磷掺杂的晶圆
    3232
    小型锂电池
    使用 GTCEu 中对应的材料,需要超净间环境。

    [使用: 切割机]


    总耗电: 768,000 EU

    需求电压: 480 EU/t

    磷掺杂的单晶硅 * 1

    * 1,000 mB

    磷掺杂的晶圆 * 32

    磷掺杂的单晶硅
    水
    1K1K
    磷掺杂的晶圆
    3232
    小型锂电池
    需要超净间环境。

    [使用: 切割机]


    总耗电: 384,000 EU

    需求电压: 480 EU/t

    耗时: 40 秒

    磷掺杂的单晶硅 * 1

    润滑油 * 250 mB

    磷掺杂的晶圆 * 32

    磷掺杂的单晶硅
    润滑油
    250250
    磷掺杂的晶圆
    3232
    小型锂电池
    使用 GTCEu 中对应的材料,需要超净间环境。
    *这里只会显示该物品合成方式,且最多显示10个,点击右边栏"查看合成/用途"可查看该物品作为材料的合成。

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