激光蚀刻机，利用激光束在材料上出蚀刻特殊的纹理。

合成

单个激光蚀刻机需要由以下原料有序合成获得：

• 1 个相应电压等级的机器外壳；

• 2 个相应电压等级的 1x 线缆材料；

• 1 个相应电压等级的发射器；

• 2 个相应电压等级的电力活塞；
  

• 3 个相应电压等级的电路。

用途

• 在超净间环境下，以 480 EU/t 的电压，配合任意一种蓝色透镜（玻璃透镜（蓝色）或蓝宝石透镜）处理兰波顿水晶，产出 3 个刻蚀兰波顿芯片，并能够在组装机中用于进一步生产电压等级更高，储电量更大的兰波顿能量球，基础耗时 12.8 秒；

• 以 240 EU/t 的电压，配合任意一种白色透镜（玻璃透镜或下界之星透镜），将 2 个较低级的宝石处理成 1 个更高一级的宝石（破碎宝石 → 有瑕宝石 → 宝石 → 无瑕宝石 → 精致宝石），基础耗时 15 秒。
  

• 将基础的晶圆蚀刻成具有不同用途的晶圆。其中，蚀刻磷掺杂的晶圆或更高等级材料的过程需要在超净间环境下执行，被处理的晶圆品质越高，需求电压等级越高：

• 搭配任意一种红色透镜，制成 ILC 晶圆；

• 搭配任意一种绿色透镜，制成 RAM 晶圆；

• 搭配任意一种淡蓝色透镜，制成 CPU 晶圆；

• 搭配任意一种蓝色透镜，制成 ULPIC 晶圆；

• 搭配任意一种橙色透镜，制成 LPIC 晶圆；

• 搭配任意一种青色透镜，制成简易 SoC 晶圆；

• （限磷掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种黄色透镜，制成 SoC 晶圆；

• （限磷掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种棕色透镜，制成 MPIC 晶圆；

• （限磷掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种粉红色透镜，制成 NOR 存储器晶圆；

• （限磷掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种灰色透镜，制成 NAND 存储器晶圆；

• （限硅岩掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种紫色透镜，制成 ASoC 晶圆；

• （限中子素掺杂的晶圆或更高等级）搭配任意一种黑色透镜，制成 HASoC 晶圆。