化学氧化机
Analyzer Chest
倾斜粘液块
雷电加农炮
卫星制造机
ATM
榨油机
进阶碎岩机 II
碎渣机
Blast Furnace
矿物酸化器
基础辐射消除装置
基础浓缩机
DNT-1Hz变频器
电炉
电弧高炉
Data Debugger
中压充电箱
暂无记录..
[登录],成为第一个留下脚印的人吧!
终极切割机 与 切割机 为同类物品/方块。
切割机,能够利用锯片,并配合水、蒸馏水或润滑油来切割材料。
合成
单个切割机由需要以下原料有序合成获得:
1 个相应电压等级的机器外壳;
2 个相应电压等级的 1x 线缆;
1 个相应电压等级的传送带;
1 个相应电压等级的电动马达;
2 个相应电压等级的电路;
1 个相应的玻璃材料;
1 个相应材料的圆锯锯刃。
可用的圆锯锯刃材料如下:
钴黄铜(适用于 LV 级);
钒钢(适用于 MV 级);
蓝钢(适用于 HV 级);
哈氏合金(适用于 EV 级);
碳化钨(适用于 IV 级);
高速钢-E(适用于 LuV 级);
硅岩合金(适用于 ZPM 级);
铿铀(适用于 UV 级)。
用途
处理材料部件,这一类配方的基础耗时通常与被处理材料的种类和质量数正相关。包括:
将任意一种宝石材料拆分成 2 个低一级的宝石。具体包括:
将 1 个精致的宝石切割为 2 个无瑕的宝石;
将 1 个无瑕的宝石切割为 2 个常规宝石;
将 1 个常规宝石切割为 2 个有瑕的宝石;
将 1 个有瑕的宝石切割为 2 个破碎的宝石。
将任意的 1 个材料块切割为 9 个相应的板(部分材料是 4 个,例如紫水晶);
将任意的 1 个长杆切割为 2 个相应的杆;
将任意的 1 个杆切割为 4 个相应的螺栓;
将任意的 1 个螺丝切割为等量的螺栓;
参与芯片的生产。包括:
切割任意一种单晶硅材料,产出相应的晶圆。可用的单晶硅材料包括:单晶硅、磷掺杂的单晶硅、硅岩掺杂的单晶硅、中子素掺杂的单晶硅。与磷掺杂的单晶硅或更高品质单晶硅的处理需要在超净间环境下进行。
将已在激光蚀刻机中被处理过后的晶圆切割成相应的芯片。芯片能够直接参与其它电路元件的生产。
对原版配方的拓展功能:
将 3 个玻璃切割成 8 个玻璃板。玻璃材料须为原版的未染色的玻璃;
将 1 个雪块切割成 12 个雪。
对于所有的切割机配方,都需要另外消耗水、蒸馏水或润滑油来执行,流体需求量与该配方的耗电量(不计超频影响)正相关,同时参与的流体种类决定最终的配方执行速率。
消耗 (总耗电 ÷ 320) mB 水,实际耗时延长至 2 倍。消耗的流体量将被钳制在 (4 ~ 1,000) mB 的区间内;
消耗 (总耗电 ÷ 426) mB 蒸馏水,实际耗时延长至 1.5 倍。消耗的流体量将被钳制在 (3 ~ 750) mB 的区间内;
消耗 (总耗电 ÷ 1 280) mB 润滑油,实际耗时保持不变。消耗的流体量将被钳制在 (1 ~ 250) mB 的区间内。
[使用: 工作台]
1x钇钡铜氧化物线缆 * 2
标签: c:uv_circuits * 2
聚变玻璃 * 1
UV传送带 * 1
UV机器外壳 * 1
铿铀圆锯锯片 * 1
UV电动马达 * 1
↓
终极切割机 * 1