精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

本模组允许精密激光蚀刻机：

• 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

• 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

• 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。