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    主资料 光刻后晶元 下共有 7 个物品/方块
    光刻后晶元 (Wafer)
    暂无简介，欢迎协助完善。
    光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer30wm 64
    光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
    光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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    光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)

    光刻后晶元(20微米工艺) 与 光刻后晶元 为同类物品/方块，已合并。

    物品命令：/give @p moegadd:Wafer20wm 64
    光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)
    光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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    光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer10wm 64
    光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
    光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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    光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer1wm 64
    光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)
    光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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    光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer200nm 64
    光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
    光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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    光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer60nm 64
    光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
    光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
    查看合成/用途
    光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
    物品命令：/give @p moegadd:Wafer20nm 64
    光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
    光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
    资料分类：材料
    最大叠加：64个 / 组
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