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    进阶精密激光蚀刻机 V (Elite Precision Laser Engraver II)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 2157
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    进阶精密激光蚀刻机 V (Elite Precision Laser Engraver II)
    进阶精密激光蚀刻机 V (Elite Precision Laser Engraver II)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
    查看合成/用途
    滑动合成表可以查看更多信息~
    材料统计输入 >> 输出备注

    [使用: 工作台]


    电力活塞（LuV） * 2

    发射器（LuV） * 1

    矿词: circuitMaster * 3

    LuV 机械方块 * 1

    矿词: cableGtSingleNiobiumTitanium * 2

    ↓

    进阶精密激光蚀刻机 V * 1

    电力活塞（LuV）
    发射器（LuV）
    电力活塞（LuV）
    能量流电路
    纳米处理器主机
    大型量子电脑
    湿件处理器
    晶体处理器集群
    LuV 机械方块
    能量流电路
    纳米处理器主机
    大型量子电脑
    湿件处理器
    晶体处理器集群
    1x 铌钛合金线缆
    1x铌钛合金线缆
    1x 铌钛合金线缆
    1x铌钛合金线缆
    1x 铌钛合金线缆
    能量流电路
    纳米处理器主机
    大型量子电脑
    湿件处理器
    晶体处理器集群
    1x 铌钛合金线缆
    1x铌钛合金线缆
    1x 铌钛合金线缆
    1x铌钛合金线缆
    1x 铌钛合金线缆
    进阶精密激光蚀刻机 V
    *这里只会显示该物品合成方式，且最多显示10个，点击右边栏"查看合成/用途"可查看该物品作为材料的合成。
    进阶精密激光蚀刻机 VI (Elite Precision Laser Engraver III)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 2158
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    进阶精密激光蚀刻机 VI (Elite Precision Laser Engraver III)
    进阶精密激光蚀刻机 VI (Elite Precision Laser Engraver III)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
    查看合成/用途
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    材料统计输入 >> 输出备注

    [使用: 工作台]


    电力活塞（ZPM） * 2

    发射器（ZPM） * 1

    矿词: circuitUltimate * 3

    ZPM 机械方块 * 1

    矿词: cableGtSingleNaquadah * 2

    ↓

    进阶精密激光蚀刻机 VI * 1

    电力活塞（ZPM）
    发射器（ZPM）
    电力活塞（ZPM）
    终极控制电路
    粘土核心
    量子处理器主机
    终极晶体电脑
    湿件处理器集群
    ZPM 机械方块
    终极控制电路
    粘土核心
    量子处理器主机
    终极晶体电脑
    湿件处理器集群
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    终极控制电路
    粘土核心
    量子处理器主机
    终极晶体电脑
    湿件处理器集群
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    1x 硅岩线缆
    进阶精密激光蚀刻机 VI
    *这里只会显示该物品合成方式，且最多显示10个，点击右边栏"查看合成/用途"可查看该物品作为材料的合成。
    进阶精密激光蚀刻机 VII (Elite Precision Laser Engraver IV)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 2159
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    进阶精密激光蚀刻机 VII (Elite Precision Laser Engraver IV)
    进阶精密激光蚀刻机 VII (Elite Precision Laser Engraver IV)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
    查看合成/用途
    滑动合成表可以查看更多信息~
    材料统计输入 >> 输出备注

    [使用: 工作台]


    电力活塞（UV） * 2

    发射器（UV） * 1

    矿词: circuitSuperconductor * 3

    UV 机械方块 * 1

    矿词: cableGtSingleNaquadahAlloy * 2

    ↓

    进阶精密激光蚀刻机 VII * 1

    电力活塞（UV）
    发射器（UV）
    电力活塞（UV）
    晶体处理器主机
    湿件处理器超级电脑
    湿件处理器电脑
    湿件处理器超级电脑
    极限压磁共振电路
    UV 机械方块
    晶体处理器主机
    湿件处理器超级电脑
    湿件处理器电脑
    湿件处理器超级电脑
    极限压磁共振电路
    1x 硅岩合金线缆
    1x硅岩合金线缆
    1x 硅岩合金线缆
    1x硅岩合金线缆
    1x 硅岩合金线缆
    晶体处理器主机
    湿件处理器超级电脑
    湿件处理器电脑
    湿件处理器超级电脑
    极限压磁共振电路
    1x 硅岩合金线缆
    1x硅岩合金线缆
    1x 硅岩合金线缆
    1x硅岩合金线缆
    1x 硅岩合金线缆
    进阶精密激光蚀刻机 VII
    *这里只会显示该物品合成方式，且最多显示10个，点击右边栏"查看合成/用途"可查看该物品作为材料的合成。
    次世代精密激光蚀刻机 (High-Tech Laser Engraver)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 3419
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    次世代精密激光蚀刻机 (High-Tech Laser Engraver)
    次世代精密激光蚀刻机 (High-Tech Laser Engraver)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
    查看合成/用途
    次世代精密激光蚀刻机 II (High-Tech Laser Engraver II)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 3420
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    次世代精密激光蚀刻机 II (High-Tech Laser Engraver II)
    次世代精密激光蚀刻机 II (High-Tech Laser Engraver II)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
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    次世代精密激光蚀刻机 III (High-Tech Laser Engraver III)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 3421
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    次世代精密激光蚀刻机 III (High-Tech Laser Engraver III)
    次世代精密激光蚀刻机 III (High-Tech Laser Engraver III)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
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    次世代精密激光蚀刻机 IV (High-Tech Laser Engraver IV)
    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 3422
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    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    次世代精密激光蚀刻机 IV (High-Tech Laser Engraver IV)
    次世代精密激光蚀刻机 IV (High-Tech Laser Engraver IV)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
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    终焉精密激光蚀刻机 (Ultimate Laser Engraver)

    终焉精密激光蚀刻机 与 进阶精密激光蚀刻机 V 为同类物品/方块，已合并。

    物品命令：/give @p gregtech:machine 64 3423
    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    精密激光蚀刻机能够用激光束在材料上蚀刻出特殊的纹理，是至关重要的电路制造设备。

    它可以搭配不同的透镜使用，以将不同的晶圆处理成各种芯片(晶圆)。这些半成品在板材切割机中再进行二次加工即可制成可以被直接使用的芯片。晶圆的品质决定处理所需的电压——处理普通晶圆需要 120 EU/t（MV）；荧石掺杂的晶圆需要 480 EU/t（HV）；硅岩掺杂的晶圆需要 1920 EU/t（EV）。

    当然，兰波顿水晶、刻蚀水晶芯片和晶体CPU也可以被处理成更加精密的元件，但是处理后两者需要更高的电压（分别为 IV 和 LuV）。

    此段资料引用于“精密激光蚀刻机 (Precision Laser Engraver)”并与其保持同步更新。  编辑

    本模组允许精密激光蚀刻机：

    • 搭配不同的透镜将本模组新增的晶圆处理成芯片(晶圆)。晶圆的品质同样决定处理所需的电压——对于大多数芯片而言，处理𬬻掺杂的晶圆需要 7,680 EU/t（IV）；𬭊掺杂的晶圆需要 30,720 EU/t（LuV）；中子素掺杂的晶圆需要 122,880 EU/t（ZPM）。而UHPIC晶圆、HASoC晶圆和UHASoC晶圆的造价更加昂贵：处理𬬻掺杂的晶圆需要 491,520 EU/t（UV）；𬭊掺杂的晶圆需要 1,966,080 EU/t（UHV）；中子素掺杂的晶圆需要 7,864,320 EU/t（UEV）。单个品质越高的晶圆可制成的芯片越多。

    • 将4个普通的宝石制成1个无瑕的晶体，或将4个无瑕的晶体制成1个精致的晶体。需要EV级电压进行处理，单次耗时 120 s。

    • 利用光栅光刻掩膜把光聚合物涂覆的𬭶掺杂的晶圆蚀刻成衍射光栅镜，作为制作超短脉冲激光器的原材料之一。需要UEV级电压进行处理，单次耗时 16 s。

    同时保持原GTCE增加的配方不变。可以使用相较更加昂贵的多方块结构：大型激光蚀刻机替代，这样能够极大地提高处理效率。

    终焉精密激光蚀刻机 (Ultimate Laser Engraver)
    终焉精密激光蚀刻机 (Ultimate Laser Engraver)
    资料分类：机器:耗电设备:精密激光蚀刻机
    最大叠加：64个 / 组
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